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射頻芯片：工作在射頻頻段的芯片，實(shí)現(xiàn)信號(hào)的濾波、放大、射頻轉(zhuǎn)換、調(diào)制/解調(diào)等功能，通常包含低噪聲放大器、功率放大器等。
國(guó)博電子射頻芯片主要包括射頻放大類芯片、射頻控制類芯片，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信基站等通信系統(tǒng)，并逐步拓展至終端領(lǐng)域。
低噪聲放大器
低噪聲放大器采用0.15μm、0.25μm或0.5μm的GaAs pHEMT工藝，具有噪聲低、增益高等特點(diǎn)。在通信系統(tǒng)中用于將接收自天線的信號(hào)放大，以便于后級(jí)的電子設(shè)備處理。廣泛應(yīng)用于4G、5G通信系統(tǒng)基站、微基站、移動(dòng)終端及無(wú)線接入等設(shè)備中。
功率放大器
功率放大器采用高性能InGaP/GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管工藝，滿足了用戶在DC~6.0GHz范圍內(nèi)，不同增益、輸出功率、以及電流的要求。主要用于將調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號(hào)功率放大后輸出到天線上輻射出去。廣泛應(yīng)用于4G、5G通信系統(tǒng)基站、微基站、移動(dòng)終端及無(wú)線接入等設(shè)備中。
開關(guān)
開關(guān)產(chǎn)品包括多種制式開關(guān)(nPnT)，可覆蓋DC~6.0GHz。其中射頻開關(guān)采用SOI、GaAs工藝，主要用于通信系統(tǒng)中多通道、多制式或者收發(fā)之間的信道切換，具有插入損耗低、隔離度高、可靠性高等特點(diǎn)。大功率開關(guān)采用Si基PIN工藝，主要用于大功率射頻信號(hào)通路的導(dǎo)通和截止控制，具有大功率信號(hào)通路切換和保護(hù)小功率器件免于損傷損毀的功能。開關(guān)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于4G、5G通信系統(tǒng)基站、微基站、移動(dòng)終端及無(wú)線接入等設(shè)備中。
數(shù)控衰減器
射頻數(shù)字衰減器采用SOI、GaAs工藝，以串/并行口信號(hào)控制，在DC~6.0GHz范圍內(nèi)具有低功耗、低插損的特點(diǎn)。主要用于控制微波信號(hào)幅度，實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的定量衰減。廣泛應(yīng)用于4G、5G通信系統(tǒng)基站、微基站、移動(dòng)終端及無(wú)線接入等設(shè)備中。
低噪聲放大器
低噪聲放大器采用0.15μm、0.25μm或0.5μm的GaAs pHEMT工藝，具有噪聲低、增益高等特點(diǎn)。在通信系統(tǒng)中用于將接收自天線的信號(hào)放大，以便于后級(jí)的電子設(shè)備處理。廣泛應(yīng)用于4G、5G通信系統(tǒng)基站、微基站、移動(dòng)終端及無(wú)線接入等設(shè)備中。
功率放大器
功率放大器采用高性能InGaP/GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管工藝，滿足了用戶在DC~6.0GHz范圍內(nèi)，不同增益、輸出功率、以及電流的要求。主要用于將調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號(hào)功率放大后輸出到天線上輻射出去。廣泛應(yīng)用于4G、5G通信系統(tǒng)基站、微基站、移動(dòng)終端及無(wú)線接入等設(shè)備中。
開關(guān)
開關(guān)產(chǎn)品包括多種制式開關(guān)(nPnT)，可覆蓋DC~6.0GHz。其中射頻開關(guān)采用SOI、GaAs工藝，主要用于通信系統(tǒng)中多通道、多制式或者收發(fā)之間的信道切換，具有插入損耗低、隔離度高、可靠性高等特點(diǎn)。大功率開關(guān)采用Si基PIN工藝，主要用于大功率射頻信號(hào)通路的導(dǎo)通和截止控制，具有大功率信號(hào)通路切換和保護(hù)小功率器件免于損傷損毀的功能。開關(guān)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于4G、5G通信系統(tǒng)基站、微基站、移動(dòng)終端及無(wú)線接入等設(shè)備中。
數(shù)控衰減器
射頻數(shù)字衰減器采用SOI、GaAs工藝，以串/并行口信號(hào)控制，在DC~6.0GHz范圍內(nèi)具有低功耗、低插損的特點(diǎn)。主要用于控制微波信號(hào)幅度，實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的定量衰減。廣泛應(yīng)用于4G、5G通信系統(tǒng)基站、微基站、移動(dòng)終端及無(wú)線接入等設(shè)備中。
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